MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 44.4 A, Reducción, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines

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Código RS:
252-0290
Nº ref. fabric.:
SISA18BDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8PT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01mΩ

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

33.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen V

RDS muy bajo - valor de mérito (FOM) Qg

Sintonizado para el RDS más bajo - FOM Qoss

100 % comprobación Rg y UIS

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