MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

6,35 €

(exc. IVA)

7,68 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2990 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 900,635 €6,35 €
100 - 2400,57 €5,70 €
250 - 4900,49 €4,90 €
500 - 9900,413 €4,13 €
1000 +0,355 €3,55 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-5123
Nº ref. fabric.:
SISHA04DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SH

Serie

SiSHA04DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00215Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Altura

0.93mm

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

MOSFET de potencia Gen IV de TrenchFET®

Enlaces relacionados