MOSFET, N-Canal Vishay SISHA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- Código RS:
- 188-4896
- Nº ref. fabric.:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4896
- Nº ref. fabric.:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SiSHA04DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00215Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 930μm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SiSHA04DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00215Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 930μm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET N-Channel 30 V (D-S).
MOSFET de potencia Gen IV de TrenchFET®
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