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    MOSFET Vishay SISHA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines, , config. Simple

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    Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

    0,346 €

    (exc. IVA)

    0,419 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Carrete*
    3000 +0,346 €1.038,00 €

    *precio indicativo

    Código RS:
    188-4896
    Nº ref. fabric.:
    SISHA04DN-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK 1212-8SH
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente3,1 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2.2V
    Tensión de umbral de puerta mínima1.1V
    Disipación de Potencia Máxima52 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-16 V, +20 V
    Longitud3.3mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs51 nC a 10 V
    Ancho3.3mm
    Número de Elementos por Chip1
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Tensión de diodo directa1.1V
    Altura0.93mm

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