MOSFET Vishay SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2929
Nº ref. fabric.:
SiSH536DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

67,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

POWERPAK 1212-8SH

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,00325 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

El MOSFET de canal N de 30 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

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