MOSFET Vishay, N-Canal SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 228-2929
- Nº ref. fabric.:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 228-2929
- Nº ref. fabric.:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 30 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 67.4 A | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SH | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 3.25 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 26.5 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | TrenchFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 16.6 nC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 67.4 A | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SH | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Estándar de automoción No | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 3.25 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 26.5 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie TrenchFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 16.6 nC | ||
The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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