MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, Mejora de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2929
Nº ref. fabric.:
SiSH536DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

67.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.25mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

26.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N de 30 V (D-S) de Vishay.

Probado al 100 % Rg y UIS

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