MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67.4 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5018
- Nº ref. fabric.:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 210-5018
- Nº ref. fabric.:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 70V | |
| Serie | SiSS76LDN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 70V | ||
Serie SiSS76LDN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
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