MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67.4 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-5018
Nº ref. fabric.:
SiSS76LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS76LDN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.3nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.4 mm

Altura

0.83mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo

100 % RG y prueba UIS

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