MOSFET, N-Canal Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67.4 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
210-5017
Nº ref. fabric.:
SiSS76LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS76LDN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

830μm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.4mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo

100 % RG y prueba UIS

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