MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR4407DP-T1-UE3, VDSS -40 V, ID -101.4 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
904-975
Nº ref. fabric.:
SIR4407DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-101.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0045Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

82.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

88.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

ROHS

Anchura

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal P de Vishay sirve como un interruptor electrónico fiable, diseñado para gestionar alta tensión y corriente de manera eficiente. Está diseñado específicamente para diversas aplicaciones de gestión de potencia, lo que garantiza un rendimiento robusto en entornos exigentes.

Funciona a una tensión de drenaje-fuente de -40 V para mayor fiabilidad

La resistencia en estado activo ultrabaja garantiza una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento

Completamente probado para R y UIS para garantizar el rendimiento en condiciones exigentes

Ofrece una disipación de potencia nominal máxima de 5,0 W, lo que permite un funcionamiento más frío

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