MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SISS862ADN-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 52 A, Modo de mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8

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Código RS:
829-348
Nº ref. fabric.:
SISS862ADN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SISS

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SLW

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N avanzado de Vishay está diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Proporciona un rendimiento robusto con características de baja resistencia de conexión.

La tensión de funcionamiento de hasta 60 V garantiza la versatilidad en todas las aplicaciones

La resistencia en estado activo muy baja optimiza la eficiencia energética

El área de funcionamiento segura garantizada mejora la fiabilidad en condiciones de alta demanda

Probado exhaustivamente para R y UIS para un rendimiento garantizado

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