MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SISS862ADN-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 52 A, Modo de mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8

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Código RS:
829-348
Nº ref. fabric.:
SISS862ADN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SLW

Serie

SISS

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.30mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

3.30mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N avanzado de Vishay está diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Proporciona un rendimiento robusto con características de baja resistencia de conexión.

La tensión de funcionamiento de hasta 60 V garantiza la versatilidad en todas las aplicaciones

La resistencia en estado activo muy baja optimiza la eficiencia energética

El área de funcionamiento segura garantizada mejora la fiabilidad en condiciones de alta demanda

Probado exhaustivamente para R y UIS para un rendimiento garantizado

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