MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SISS4634LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, Modo de mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8
- Código RS:
- 829-347
- Nº ref. fabric.:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0285Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.30mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Anchura | 3.30mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0285Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.30mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Anchura 3.30mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N de vanguardia de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia. Destaca en la reducción de la pérdida de potencia relacionada con la conmutación al tiempo que proporciona un rendimiento robusto en diversas aplicaciones.
Incorpora la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar la eficiencia
El dispositivo completamente sin plomo garantiza el cumplimiento de la normativa medioambiental
Las características de carga optimizadas minimizan las pérdidas de energía
Las pruebas exhaustivas Rg y UIS garantizan la fiabilidad
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