MOSFET Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-4902
Nº ref. fabric.:: SISS30LDN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 23/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,47 €

(exc. IVA)

0,57 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,47 €	1.410,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-4902
Nº ref. fabric.:: SISS30LDN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SISS30LDN-T1-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET N-Canal 80 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)
Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	55.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8S
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	12 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	57 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	32,5 nC a 10 V
Longitud	3.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.78mm
Tensión de diodo directa	1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados