MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-4899
Nº ref. fabric.:
SiSHA14DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA14DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

26.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.93mm

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

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