MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS5800DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9973
- Nº ref. fabric.:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,13 € | 8,26 € |
| 50 - 98 | 3,095 € | 6,19 € |
| 100 - 248 | 2,755 € | 5,51 € |
| 250 - 998 | 2,70 € | 5,40 € |
| 1000 + | 2,66 € | 5,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9973
- Nº ref. fabric.:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 265A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SIRS | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0018Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 122nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 265A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SIRS | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0018Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 122nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
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