MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7149ADP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 818-1393
- Nº ref. fabric.:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
23,88 €
(exc. IVA)
28,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 1,194 € | 23,88 € |
| 200 - 480 | 1,135 € | 22,70 € |
| 500 - 980 | 0,955 € | 19,10 € |
| 1000 - 1980 | 0,896 € | 17,92 € |
| 2000 + | 0,836 € | 16,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 818-1393
- Nº ref. fabric.:
- SI7149ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0052Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.1nC | |
| Tensión directa Vf | 0.74V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-Free | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0052Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.1nC | ||
Tensión directa Vf 0.74V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-Free | ||
Longitud 5.99mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 30 V PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines