MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 7.1 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-098
- Nº ref. fabric.:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-098
- Nº ref. fabric.:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIS9122 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.16Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIS9122 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.16Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N doble de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8 Dual, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento eléctrico y térmico optimizado.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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