MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIJH602E-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 437 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

5,75 €

(exc. IVA)

6,96 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 11 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 95,75 €
10 - 493,56 €
50 - 992,76 €
100 +1,86 €

*precio indicativo

Código RS:
735-199
Nº ref. fabric.:
SIJH602E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

437A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00115Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

8mm

Anchura

7.9 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados