MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIJH602E-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 437 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
735-199
Nº ref. fabric.:
SIJH602E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

437A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00115Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

7.9mm

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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