MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH5100E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 277 A, Mejora, 8x8L de 4 pines

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Código RS:
279-9938
Nº ref. fabric.:
SIJH5100E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

277A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIJH

Encapsulado

8x8L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00189Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

128nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

7.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

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