Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 121-9657
Nº ref. fabric.:: SI4403CDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tira*
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100 - 240	0,548 €	5,48 €
250 - 490	0,495 €	4,95 €
500 - 990	0,466 €	4,66 €
1000 +	0,437 €	4,37 €

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Código RS:: 121-9657
Nº ref. fabric.:: SI4403CDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	13.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	Si4403CDY
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	20mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-0.66V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	60nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.55mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 13.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SOIC
	Serie Si4403CDY
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -0.66V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.55mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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