Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4435DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 710-3339
Nº ref. fabric.:: SI4435DDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4435DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 90	0,507 €	5,07 €
100 - 490	0,481 €	4,81 €
500 - 990	0,405 €	4,05 €
1000 - 2490	0,382 €	3,82 €
2500 +	0,355 €	3,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 710-3339
Nº ref. fabric.:: SI4435DDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	Si4435DDY
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	24mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	32nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Anchura	4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie Si4435DDY
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Anchura 4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4435DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

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