MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
919-0288
Nº ref. fabric.:
SI4435DDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

Si4435DDY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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