MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
169-5792
Nº ref. fabric.:
SI4403CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOIC

Serie

Si4403CDY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión directa Vf

-0.66V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Altura

1.55mm

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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