MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 4.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
165-6283
Nº ref. fabric.:
SI9407BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

Si9407BDY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.12Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión directa Vf

-0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Altura

1.55mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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