MOSFET de potencia TrenchFET, N-Canal Vishay SI4164DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-7275
- Nº ref. fabric.:
- SI4164DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-7275
- Nº ref. fabric.:
- SI4164DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia TrenchFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | Si4164DY | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0032Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 720mV | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia TrenchFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie Si4164DY | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0032Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 720mV | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JS709A, RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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