MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 121-9657P
- Nº ref. fabric.:
- SI4403CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*
54,80 €
(exc. IVA)
66,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2420 unidad(es) más para enviar a partir del 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,548 € |
| 250 - 490 | 0,495 € |
| 500 - 990 | 0,466 € |
| 1000 + | 0,437 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 121-9657P
- Nº ref. fabric.:
- SI4403CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4403CDY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión directa Vf | -0.66V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4403CDY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión directa Vf -0.66V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET de potencia TrenchFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines