MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH5100E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 277 A, Mejora, 8x8L de 4 pines
- Código RS:
- 279-9937
- Nº ref. fabric.:
- SIJH5100E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- SIJH5100E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 277A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SIJH | |
| Encapsulado | 8x8L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00189Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 128nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 7.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 277A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SIJH | ||
Encapsulado 8x8L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00189Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 128nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 7.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
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