MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH5700E-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 174 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
268-8324
Nº ref. fabric.:
SIJH5700E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

174A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

SIJH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0041Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

7.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo completamente sin plomo. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor y gestión de baterías.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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