MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH800E-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 299 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
225-9921
Nº ref. fabric.:
SIJH800E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

299A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

N-Channel 80 V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

210nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Anchura

1.9 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

8mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Dispositivo sin plomo (Pb)

Optimizado para relación Qg, Qgd y Qgd/Qgs a fin de reducir la conmutación relacionada con la pérdida de potencia

Tamaño un 50 % más pequeño que D2PAK (TO-263)

100 % Rg y UIS probados

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