MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR122LDP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 62.3 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
225-9924
Nº ref. fabric.:
SIR122LDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

62.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

N-Channel 80 V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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