MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR120DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 24.7 A, PowerPAK SO-8

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Código RS:
256-7421
Número de artículo Distrelec:
304-40-864
Nº ref. fabric.:
SIR120DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal N de 80 V (D-S) de Vishay Semiconductor tiene una cifra de mérito (FOM) de RDS x Qg muy baja. Sus aplicaciones son rectificación síncrona, interruptor lateral primario, dc, convertidores dc, fuentes de alimentación, control de accionamiento de motor, batería e interruptor de carga.

MOSFET de potencia TrenchFET gen IV

RDS muy bajo x valor de mérito Qg (FOM)

Sintonizado para el RDS x Qoss FOM más bajo

Probado al 100 % Rg y UIS

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