MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR588DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 59.5 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Código RS:: 239-5394
Nº ref. fabric.:: SiR588DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR588DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 59.5 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:: 239-5394
Nº ref. fabric.:: SiR588DP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	59.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Serie	SiR588DP
	Encapsulado	PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.008Ω
	Tensión directa Vf	1.1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14.2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	59.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	5.15mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	6.15mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 59.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Serie SiR588DP
	Encapsulado PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.008Ω
	Tensión directa Vf 1.1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 59.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 5.15mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 6.15mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

MOSFET serie SiR588DP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 59,5 A - SiR588DP-T1-RE3

Este MOSFET de canal n es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutar y manejar altas corrientes en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión robusto y una conducción eficiente en un encapsulado pequeño.

Características y ventajas:

• La tensión de drenaje de 80 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 59,5 A admite un funcionamiento de carga pesada • La baja Rds(on) de 0,008 Ω reduce las pérdidas de conducción y el calentamiento • La carga de puerta típica de 14,2 nC permite transiciones de conmutación más rápidas • La disipación de potencia de 59,5 W permite un manejo de potencia sostenido • La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C tolera entornos térmicos elevados

Aplicaciones

• Apto para etapas de accionamiento de motores en sistemas de automatización industrial • Ideal para convertidores dc-dc de alta corriente y fuentes de alimentación • Se utiliza para elementos de conmutación en módulos de distribución de potencia • Puede utilizarse para conmutación de carga en equipos de control y HVAC • Apto para conjuntos de alimentación SMD compactos donde el espacio de la placa es limitado

¿Qué restricciones de tensión de puerta deben observarse para un funcionamiento seguro?

La tensión de puerta a fuente debe mantenerse dentro de ±20 V para evitar el estrés por óxido de puerta.

¿Cómo afecta el encapsulado a la gestión térmica en una placa?

El encapsulado de montaje en superficie PowerPAK SO-8 de 8 contactos concentra la ruta térmica a través del sustrato, por lo que una buena superficie de cobre de la PCB y las vías térmicas mejoran la disipación de calor.

¿Qué condiciones ambientales definen los límites operativos del dispositivo?

El dispositivo está especificado para usar hasta -55 °C y hasta 150 °C de temperatura de unión para entornos de alta temperatura.

¿Cómo se relaciona la tensión directa del dispositivo con el comportamiento de conducción?

La tensión directa de 1,1 V indica la caída de conducción prevista del diodo cuando el diodo del cuerpo intrínseco conduce durante eventos de recuperación inversa o conmutación dura.