MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR582DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 116 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-5387
Nº ref. fabric.:
SiR582DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

116A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0034Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

92.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.15mm

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay tiene una corriente de drenaje de 116 A. Se utiliza en la rectificación síncrona, interruptores de lado primario, convertidores dc/dc e interruptores de accionamiento de motor.

Valor de mérito (FOM) muy bajo RDS x Qg

Ajustado para el mínimo RDS x Qoss FOM

Probado al 100 % Rg y UIS

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