MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 24.7 A, PowerPAK SO-8
- Código RS:
- 256-7420
- Nº ref. fabric.:
- SIR120DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2.205,00 €
(exc. IVA)
2.667,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 28 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,735 € | 2.205,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7420
- Nº ref. fabric.:
- SIR120DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0095Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0095Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de canal N de 80 V (D-S) de Vishay Semiconductor tiene una cifra de mérito (FOM) de RDS x Qg muy baja. Sus aplicaciones son rectificación síncrona, interruptor lateral primario, dc, convertidores dc, fuentes de alimentación, control de accionamiento de motor, batería e interruptor de carga.
MOSFET de potencia TrenchFET gen IV
RDS muy bajo x valor de mérito Qg (FOM)
Sintonizado para el RDS x Qoss FOM más bajo
Probado al 100 % Rg y UIS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK SO-8
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay SIRS700DP-T1-RE3 ID 171 A, PowerPAK SO-8S
- MOSFET Vishay SIR182LDP-T1-RE3 ID 130 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V PowerPAK SO-8L
