MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7313TRPBF, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- Código RS:
- 257-9301
- Nº ref. fabric.:
- IRF7313TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9301
- Nº ref. fabric.:
- IRF7313TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 46mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.78V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 46mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.78V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n doble de 30 V en un encapsulado SO 8.
Conformidad con RoHS
RDS(on) bajo
Valor nominal dv/dt dinámico
Conmutación rápida
MOSFET de canal N doble