MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -8 A, SO-8 de 8 pines

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
257-9304
Nº ref. fabric.:
IRF7328TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -30 V en un encapsulado SO 8.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Capacidad de soldadura por ola

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