MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -8 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
257-9304
Nº ref. fabric.:
IRF7328TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

-8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -30 V en un encapsulado SO 8.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Capacidad de soldadura por ola

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