MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP150N10F7AG, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines

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235-5448P
Nº ref. fabric.:
STP150N10F7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.2mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

127nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N STMicroelectronics utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Temperatura de unión de 175 °C.

Nivel estándar VGS(TH)

Diseñado para aplicaciones de automoción

100 % de avalancha nominal

Aplicaciones


Aplicaciones de conmutación

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