MOSFET, Tipo P-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 236-3572
- Nº ref. fabric.:
- SSM3J356R,LF(T
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 236-3572
- Nº ref. fabric.:
- SSM3J356R,LF(T
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 400mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Anchura | 2.9 mm | |
| Longitud | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 400mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Anchura 2.9 mm | ||
Longitud 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal P. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de gestión de potencia.
Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.