MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW65R155CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 236-3679
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R155CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
7,58 €
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9,18 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,79 € | 7,58 € |
| 10 - 18 | 3,335 € | 6,67 € |
| 20 - 48 | 3,15 € | 6,30 € |
| 50 - 98 | 2,92 € | 5,84 € |
| 100 + | 2,695 € | 5,39 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 236-3679
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R155CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 155mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 98W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.5mm | |
| Longitud | 16.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 155mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 98W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.5mm | ||
Longitud 16.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión CoolMOS de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. Es ideal para aplicaciones industriales, como estaciones de carga de servidores, telecomunicaciones, energía solar y EV, en el que permite mejoras significativas de la eficiencia en comparación con la competencia. Tiene una corriente de drenaje de 12 A.
Excelente resistencia de conmutación dura
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite una mayor densidad de potencia
Excelente eficiencia de carga ligera en aplicaciones SMPS industriales
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Competitividad de precios en comparación con ofertas alternativas en el mercado
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