MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR514DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 84.8 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-8649
Nº ref. fabric.:
SiR514DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

84.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV que funciona a 100 V. Este MOSFET se utiliza para fuente de alimentación, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

Resistencia muy baja

Probado conforme a UIS

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