MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PXN6R2-25QLJ, VDSS 25 V, ID 10.3 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines
- Código RS:
- 240-1992
- Nº ref. fabric.:
- PXN6R2-25QLJ
- Fabricante:
- Nexperia
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,305 € | 7,63 € |
| 50 - 75 | 0,299 € | 7,48 € |
| 100 - 225 | 0,234 € | 5,85 € |
| 250 - 975 | 0,23 € | 5,75 € |
| 1000 + | 0,172 € | 4,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-1992
- Nº ref. fabric.:
- PXN6R2-25QLJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | MLPAK33 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado MLPAK33 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) MLPAK33 (SOT8002) usando tecnología Trench MOSFET.
Compatibles con nivel lógico
Tecnología MOSFET Trench
QG y QGD ultra bajas para una alta eficiencia del sistema, especialmente en frecuencias de conmutación más altas
Conmutación superrápida con recuperación suave
Oscilación y oscilación bajos para diseños de EMI bajas
Encapsulado MLPAK33 (tamaño de 3,3 x 3,3 mm)
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