MOSFET Nexperia PXN8R3-30QLJ, VDSS 30 V, ID 11,4 A, MLPAK33 de 8 pines
- Código RS:
- 240-1999
- Nº ref. fabric.:
- PXN8R3-30QLJ
- Fabricante:
- Nexperia
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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,445 €
(exc. IVA)
0,538 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,445 € | 11,125 € |
| 50 - 75 | 0,437 € | 10,925 € |
| 100 - 225 | 0,332 € | 8,30 € |
| 250 - 975 | 0,325 € | 8,125 € |
| 1000 + | 0,203 € | 5,075 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-1999
- Nº ref. fabric.:
- PXN8R3-30QLJ
- Fabricante:
- Nexperia
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) MLPAK33 (SOT8002) usando tecnología Trench MOSFET.
Compatibles con nivel lógico
Tecnología MOSFET Trench
QG y QGD ultra bajas para una alta eficiencia del sistema, especialmente en frecuencias de conmutación más altas
Conmutación superrápida con recuperación suave
Oscilación y oscilación bajos para diseños de EMI bajas
Encapsulado MLPAK33 (tamaño de 3,3 x 3,3 mm)
Tecnología MOSFET Trench
QG y QGD ultra bajas para una alta eficiencia del sistema, especialmente en frecuencias de conmutación más altas
Conmutación superrápida con recuperación suave
Oscilación y oscilación bajos para diseños de EMI bajas
Encapsulado MLPAK33 (tamaño de 3,3 x 3,3 mm)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11,4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | MLPAK33 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
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