MOSFET Infineon ISC010N06NM5, VDSS 60 V, ID 39 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

MOSFET de potencia de canal N simple Infineon OptiMOSTM 5 de 60 V, 1,05 mΩ, 330 A en un encapsulado SSO8. El MOSFET de potencia OptiMOSTM 5 de 60 V de Infineon en encapsulado SuperSO8 ISC010N06NM5 ofrece una baja resistencia de encendido RDS en 25 ̊C y 175 ̊C, y alta corriente continua de hasta 330 A. Los MOSFET OptiMOSTM en encapsulado SuperSO8 de Infineon amplían la gama de productos OptiMOSTM 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia, además de una robustez mejorada, respondiendo a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimiento. La carga de recuperación inversa baja Qrr mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa de la tensión de sobredisparo, lo que minimiza la necesidad de circuitos amortiguadores, lo que da como resultado menos costes y esfuerzo de ingeniería.

Optimizado para rectificación síncrona
100 % probado por
avalancha Resistencia térmica
superior canal N
175° chapado de cable sin
plomo