MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 47 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:
215-2464
Nº ref. fabric.:
BSC094N06LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SuperSO

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.

R DS(on) bajo en encapsulado pequeño

Carga de puerta baja

Menor carga de salida

Compatibilidad de nivel lógico

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