- Código RS:
- 215-2464
- Nº ref. fabric.:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
0,437 €
(exc. IVA)
0,529 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
5000 + | 0,437 € | 2.185,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2464
- Nº ref. fabric.:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.
R DS(on) bajo en encapsulado pequeño
Carga de puerta baja
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
Carga de puerta baja
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 47 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.0134 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.3V |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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