MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:
133-6576
Nº ref. fabric.:
BSC009NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SuperSO

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Longitud

5.49mm

Anchura

6.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 5, corriente de drenaje continua máxima de 223 A, disipación de potencia máxima de 74 W - BSC009NE2LS5ATMA1


Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia, proporcionando una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Sus características optimizadas lo hacen adecuado para diversas aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. La configuración de canal N y el diseño avanzado facilitan la gestión eficaz de cargas de corriente elevadas manteniendo una baja resistencia a la conexión, lo que lo convierte en la opción preferida para los circuitos modernos.

Características y ventajas


• Admite aplicaciones de alta corriente con una corriente de drenaje continua máxima de 223 A

• Una resistencia a la conexión muy baja mejora la eficiencia energética durante el funcionamiento

• Capaz de soportar una tensión de drenaje-fuente máxima de 25 V

• Presenta un encapsulado SuperSO8 compacto para un montaje en superficie eficaz

• Ofrece un rendimiento térmico eficaz para la disipación del calor

• 100% a prueba de avalanchas para garantizar una gran fiabilidad

Aplicaciones


• Se utiliza en convertidores buck de alto rendimiento para una regulación eficaz de la tensión

• Adecuado para la gestión de energía en electrónica de consumo

• Implantado en automoción donde el diseño compacto es crucial

• Utilizados en sistemas de energías renovables para una conversión eficaz de la energía

¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento óptimo para la instalación?


El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, lo que permite su versatilidad en diversas condiciones ambientales.

¿Puede utilizarse para aplicaciones de rectificación síncrona?


Sí, el bajo RDS(on) garantiza unas pérdidas de conducción mínimas, lo que lo hace adecuado para la rectificación síncrona.

¿Qué precauciones de manipulación deben tomarse durante la instalación?


Deben observarse las precauciones estándar de descarga electrostática (ESD) para evitar daños en el MOSFET.

¿Cómo influye la carga de la puerta en el rendimiento?


Una carga de puerta típica de 43nC a 10V ayuda a mantener velocidades de conmutación rápidas, mejorando la eficiencia global.

¿Cumple este componente la directiva RoHS?


Sí, presenta un chapado en plomo sin Pb y cumple la directiva RoHS, en línea con las normas medioambientales modernas.

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