MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:
217-2608
Nº ref. fabric.:
IRFH5020TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

SuperSO

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6 mm

Altura

0.9mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado PQFN 5mm X 6mm.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Nivel normal : optimizado para una tensión de accionamiento de puerta de 10 V.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

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