MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:
217-2608
Nº ref. fabric.:
IRFH5020TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

SuperSO

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6mm

Longitud

5mm

Altura

0.9mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado PQFN 5mm X 6mm.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Nivel normal : optimizado para una tensión de accionamiento de puerta de 10 V.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

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