MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 1200 V, ID 46 A, TO-247
- Código RS:
- 241-9264
- Nº ref. fabric.:
- MSC040SMA120B
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 21,684 € | 650,52 € |
| 120 + | 19,928 € | 597,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 241-9264
- Nº ref. fabric.:
- MSC040SMA120B
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MSC040SMA120B | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 2 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 137nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MSC040SMA120B | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 2 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 137nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La línea de productos MOSFET de potencia de carburo de silicio de Microchip de Micro semi aumenta el rendimiento con respecto a las soluciones IGBT de silicio y MOSFET de silicio al tiempo que reduce el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión.
Baja capacitancia y baja carga de compuerta
Rápida velocidad de conmutación gracias a la baja resistencia interna de la puerta
Funcionamiento estable a alta temperatura de unión TJ(max) igual a 175 °C
Diodo de cuerpo rápido y fiable
Resistencia de avalancha superior
Cumple con la normativa RoHS