MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC018NE2LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 241-9668
- Nº ref. fabric.:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,10 € | 5,50 € |
| 25 - 45 | 1,042 € | 5,21 € |
| 50 - 120 | 0,942 € | 4,71 € |
| 125 - 245 | 0,848 € | 4,24 € |
| 250 + | 0,804 € | 4,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 241-9668
- Nº ref. fabric.:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 381A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 381A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N Infineon OptiMOSTM 5 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 25 V y una corriente de drenaje (ID) de 153 A. Su carga de puerta y de salida ultrabaja, junto con la menor resistencia de estado activado en paquetes de tamaño reducido, lo convierten en la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de regulación de tensión en servidores, aplicaciones de comunicación de datos y telecomunicaciones. Ahorra costes generales del sistema al reducir el número de fases en los convertidores multifásicos y reducir las pérdidas de potencia y aumentar la eficiencia en todas las condiciones de carga.
Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento
Diodo monolítico integrado tipo schottky
Resistencia de encendido muy baja RDS(on)@VGS = 4,5V
100 % probado por avalancha
Canal N
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Revestimiento de cable sin Pb
Cumple con la normativa RoHS
libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21
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