Transistor MOSFET Infineon BSC146N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

El MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N Infineon OptiMOSTM tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 100 V y una corriente de drenaje (ID) de 44 A. Los MOSFET de potencia de nivel lógico son muy adecuados para aplicaciones de carga, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja del dispositivo reduce las pérdidas de conmutación sin afectar a las pérdidas de conducción. Los MOSFET de nivel lógico permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación y, gracias a una tensión de umbral de puerta baja, se pueden accionar directamente desde microcontroladores.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento, por ejemplo, rec. de sincronización
100 % probado por avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N, nivel lógico
Revestimiento de cable sin Pb
Cumple con la normativa RoHS
Libre de halógenos según la norma IEC61249-2-21