MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 241-9682
- Nº ref. fabric.:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
2.315,00 €
(exc. IVA)
2.800,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 10.000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,463 € | 2.315,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 241-9682
- Nº ref. fabric.:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 212A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 212A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N Infineon OptiMOSTM 5 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 80 V y una corriente de drenaje (ID) de 73 A. Ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. regulador, etc. Está especialmente diseñado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se puede utilizar en otras aplicaciones industriales como energía solar, accionadores de baja tensión y adaptadores.
Ideal para conmutación y sincronización de alta frecuencia. Rec.
Tecnología optimizada para convertidores DC/DC
Excelente carga de puerta x producto RDS(on) (FOM)
Muy baja resistencia de encendido RDS(on)
Probado al 100% en avalancha
Canal N, nivel normal
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Chapado de cable sin plomo
Conformidad con RoHS
Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Mayor fiabilidad de la unión soldada con interconexión de fuente ampliada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
