MOSFET, N-Canal Infineon IAUC100N10S5L040ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
242-0303
Nº ref. fabric.:
IAUC100N10S5L040ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia Infineon OptiMOS-5 es un MOSFET de canal N. Está probado al 100 % para avalancha.

Viable para inspección óptica automática (AOI)

Con certificación AEC

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