MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
242-0307
Nº ref. fabric.:
IQE006NE2LM5CGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

IQE

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

0.73V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia Infineon OptiMOS 5 es un MOSFET de canal N que tiene chapado de cable sin plomo y es compatible con RoHS. Está probado al 100 % para avalancha.

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21

Completamente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales

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