MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
243-4863
Nº ref. fabric.:
PMV50XNEAR
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de Nexperia en un pequeño encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 con tecnología Trench MOSFET.

Tensión de umbral baja

Margen de temperatura ampliado Tj = 175 °C

Tecnología Trench MOSFET

Conmutación muy rápida

Conversión CC a CC

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

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